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Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.  2, record 1, English, - floating%2Dgate%20MOS%20transistor

Record 1,  Textual support,  French

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

La structure de point mémoire, la plus simple, est celle représentée [à la] figure 7. C'est essentiellement un transistor MOS à grille flottante, dans lequel on charge cette grille, par injection d’électrons à partir de la jonction P plus N portée au claquage [...]  1, record 1, French, - transistor%20MOS%20%C3%A0%20grille%20flottante

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

MOS : métal-oxyde-semiconducteur.  2, record 1, French, - transistor%20MOS%20%C3%A0%20grille%20flottante

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

A MOSFET transistor is operating in enhancement mode when the gate voltage attracts the carrier charges, although no current flows through the gate because it is insulated from the carrier channel.  2, record 2, English, - enhancement%20mode

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ, notamment d’un MOS [métal-oxyde-semiconducteur], normalement bloqué, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour faire passer un courant plus ou moins intense de la source au drain par enrichissement de la zone du canal en porteurs minoritaires pour créer le canal.  3, record 2, French, - mode%20d%27enrichissement

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu’une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c’est une tension positive qui y est appliquée.  4, record 2, French, - mode%20d%27enrichissement

Record 2,  Textual support,  Spanish

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

En la región activa de un MOSFET [transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor] en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la transconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal.  3, record 2, Spanish, - modo%20de%20enriquecimiento

Record 3,  Textual support,  English

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.  2, record 3, English, - floating%2Dgate%20avalanche%2Dinjection%20MOS%20transistor

Record 3,  Textual support,  French

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Transistor MOS [métal-oxyde-semiconducteur] comportant une grille «flottante», c'est-à-dire isolée de tout conducteur, chargée électriquement par effet d’avalanche et gardant sa charge jusqu'à ce qu'elle soit exposée à des rayons ultraviolets permettant aux électrons piégés de s’écouler à travers la couche isolante qui l'entoure pour retourner au substrat.  1, record 3, French, - transistor%20FAMOS

Record 3,  Textual support,  Spanish

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

FAMOS: metal óxido semiconductor de inyección de avalancha de puerta flotante.  2, record 3, Spanish, - transistor%20FAMOS

Record 4,  Textual support,  English

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

A doped region in a semiconductor material that is used to provide a current channel or channel region for a MOS-gated or insulated gate semiconductor transistor, such as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), an IGFET or an insulated gate bipolar transistor (IGBT).  1, record 4, English, - base%20region

Record 4,  Textual support,  French

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Région dopée d’un semiconducteur qui fournit un canal de courant ou zone de canal à un transistor ou semiconducteur à grille isolée ou à commande par grille MOS(metal oxide semiconductor).  2, record 4, French, - zone%20de%20base

Record 4,  Textual support,  Spanish

Record 5,  Textual support,  English

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

A type of MOS in which the gate is made of silicon instead of metal. Faster and denser than metal-gate MOS.  2, record 5, English, - silicon%20gate

Record 5,  Textual support,  French

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Grille d’un transistor MOS intégré réalisé en polysilicium fortement dopé pour augmenter sa conductibilité électrique.  1, record 5, French, - grille%20au%20silicium

Record 5,  Textual support,  Spanish

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Tecnología de metal-óxido-semiconductor (MOS) o a cualquier otra que emplea el silicio como semiconductor.  1, record 5, Spanish, - compuerta%20de%20silicio

Record 6,  Textual support,  English

Record 6,  Textual support,  French

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Dans le procédé MOS, couche de dioxyde de silicium, de l'ordre de 4000 à 6000 [Angström] d’épaisseur, déposée sur les régions correspondant au drain et à la source du transistor que l'on veut réaliser.  2, record 6, French, - oxyde%20%C3%A9pais

Record 6,  Textual support,  Spanish

Record 7,  Textual support,  English

Record 7,  Textual support,  French

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Transistor MOS indésirable formé par deux zones de semiconducteur du même type au-dessus desquelles une couche métallique déborde dans un circuit intégré monolithique.  1, record 7, French, - transistor%20MOS%20parasite

Record 7,  Textual support,  Spanish

Record 8,  Textual support,  English

Record 8,  Textual support,  French

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Dans le procédé MOS, mince couche de dioxyde de silicium déposée sur la région correspondant à la grille du transistor.  1, record 8, French, - oxyde%20de%20grille

Record 8,  Textual support,  Spanish

Record 9,  Textual support,  English

Record 9,  Textual support,  French

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

transistor MOS intégré  1, record 9, French, - grille%20en%20polysilicium

Record 9,  Textual support,  Spanish

Record 10,  Textual support,  English

Record number: 10, Textual support number: 1 CONT

For PMOS devices the threshold voltage (i.e. the gate-source bias at which a conductive channel is formed between the source and the drain) is in the range of 2 to 5V.  1, record 10, English, - threshold%20voltage

Record 10,  Textual support,  French

Record number: 10, Textual support number: 1 CONT

A l'interface entre les deux diélectriques il existe des pièges qui sont susceptibles de retenir les charges injectées d’une façon non volatile. On modifie ainsi la valeur de la tension de seuil du transistor MOS(...)  1, record 10, French, - tension%20de%20seuil

Record 10,  Textual support,  Spanish

Record 11,  Textual support,  English

Record number: 11, Textual support number: 1 CONT

[In a MOS transistor], when there is no voltage applied to the gate, the two p-type regions, called source and drain, are electrically insulated from each other by the n-type region which surrounds them.  1, record 11, English, - source

Record 11,  Textual support,  French

Record number: 11, Textual support number: 1 CONT

Le transistor MOS est essentiellement un dispositif à trois électrodes, la source et le drain, analogues à l'émetteur et au collecteur d’un transistor bipolaire, et la grille, qui est l'électrode de commande [...].  1, record 11, French, - source

Record 11,  Textual support,  Spanish