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Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

The use of chemical vapor deposition to grow epitaxial layers.  3, record 1, English, - vapor%2Dphase%20epitaxy

Record 1,  Textual support,  French

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Épitaxie utilisée pour la fabrication de semi-conducteurs réalisée par la déposition sur le substrat de couches successives de matériaux dopés se faisant par l'action de flux de vapeurs de compositions voulues.  2, record 1, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20phase%20vapeur

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie en phase vapeur met en œuvre des réactions de décomposition thermique qui donnent des couches minces, très pures et de bonne planéité.  3, record 1, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20phase%20vapeur

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Growth of oriented crystalline solid film from a liquid in contact with an underlying substrate in a heated chamber.  4, record 2, English, - liquid%2Dphase%20epitaxy

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Technique de croissance des couches minces d’alliages semiconducteurs, qui consiste à placer successivement le substrat monocristallin dans différents bains contenant les éléments à déposer sur les substrats.  2, record 2, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20phase%20liquide

Record number: 2, Textual support number: 2 DEF

Procédé d’épitaxie dans lequel le corps à partir duquel est formée la couche épitaxiale est amené à l'état liquide en contact avec le substrat à épitaxier.  3, record 2, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20phase%20liquide

Record 2,  Textual support,  Spanish

Record 3,  Textual support,  English

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Molecular beam epitaxy (MBE) has established itself as a unique and important epitaxial crystal growth technique yielding useful semiconductor devices, both electronic and photonic and high quality layer structures for fundamental semiconductor physics research.  5, record 3, English, - molecular%20beam%20epitaxy

Record 3,  Textual support,  French

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Procédé d’épitaxie utilisant plusieurs fours à effusion pour former des couches épitaxiales de diverses natures sur un substrat semiconducteur.  1, record 3, French, - %C3%A9pitaxie%20par%20faisceaux%20mol%C3%A9culaires

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie par jets moléculaires est la meilleure technique connue jusqu'à présent pour réaliser des couches particulièrement minces. Grâce à l'épitaxie, une gamme infinie de semi-conducteurs différents peut être obtenue en couches minces.  5, record 3, French, - %C3%A9pitaxie%20par%20faisceaux%20mol%C3%A9culaires

Record 3,  Textual support,  Spanish

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Método de fabricación de circuitos microelectrónicos.  1, record 3, Spanish, - epitaxia%20de%20haz%20molecular

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

La epitaxia de haz molecular forma las capas diminutas de una plaqueta o microcircuito a niveles atómicos. Las capas, que pueden ser tan delgadas como dos átomos, se colocan en la plaqueta o microcircuito en lugares específicos.  1, record 3, Spanish, - epitaxia%20de%20haz%20molecular

Record 4,  Textual support,  English

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

[Periodic supply epitaxy] has been applied in a reduced schedule to reduce but not eliminate the formation of a polycrystalline deposit on the dielectric mask but still maintain acceptable reactor processing time.  2, record 4, English, - polycrystalline%20deposit

Record 4,  Textual support,  French

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

[...] il faut éliminer toute trace d’oxygène(et donc d’eau) car cet élément détériore l'épitaxie et entraîne plutôt un dépôt polycristallin.  2, record 4, French, - d%C3%A9p%C3%B4t%20polycristallin

Record 4,  Textual support,  Spanish

Record 5,  Textual support,  English

Record 5,  Textual support,  French

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Opération visant à éliminer les contaminants de la surface de la tranche afin de faciliter la mise en œuvre des opérations ultérieures, telles que le dépôt de résine ou l'épitaxie. Le nettoyage des tranches peut être mécanique(brossage), électrolytique(nettoyage par électrolyse) ou chimique.  1, record 5, French, - nettoyage

Record 5,  Textual support,  Spanish

Record 6,  Textual support,  English

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

The concept of thermal accommodation coefficient (TAC) [was introduced as] a constant to represent the extent to which the interchange of energy takes place by a stream of gas molecules striking a solid surface.  1, record 6, English, - thermal%20accommodation%20coefficient

Record 6,  Textual support,  French

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

[...] coefficient défini par a = (T_i - T_e / ( T_i - T_e). Il mesure l’importance avec laquelle les atomes du flux incident atteignent l’équilibre thermique avec le substrat.  1, record 6, French, - coefficient%20d%26rsquo%3Baccommodation%20thermique

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Plusieurs paramètres cinétiques décrivent quantitativement la croissance EJM [épitaxie par jets moléculaires dont] le coefficient d’accommodation thermique. Lorsque les particules incidentes(atomes ou molécules) arrivent sur la surface, avant d’entrer en interaction avec celle-ci, elles ont une énergie thermique qui dépend de leur température d’origine T_i. À leur arrivée sur la surface, elles acquièrent ou perdent une énergie thermique qui dépend de la température du substrat, généralement inférieure à T_i pour [le gallium] et supérieure à T_i pour l'[arsenic]. Ces particules ont encore la possibilité de se réévaporer dans l'enceinte, emportant avec elles une énergie thermique équivalente à T_e. [...] Quand T_e=T_s, a=1 et l'accommodation thermique est la meilleure.  1, record 6, French, - coefficient%20d%26rsquo%3Baccommodation%20thermique

Record 6,  Textual support,  Spanish

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

[...] a partir de los valores de la conductividad calorífica en función de la presión, puede hallarse el coeficiente de acomodación térmica de los gases o vapores sobre determinadas superficies, magnitud que constituye una medida de la proporción del intercambio energético entre las moléculas adsorbidas y dichas superficies.  1, record 6, Spanish, - coeficiente%20de%20acomodaci%C3%B3n%20t%C3%A9rmica

Record 7,  Textual support,  English

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

Chemical Beam Epitaxy (CBE) is an advanced crystal growth technology based on the precise delivery of atoms in an ultra high vacuum (UHV) environment.  2, record 7, English, - chemical%20beam%20epitaxy

Record 7,  Textual support,  French

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie par faisceaux chimiques(CBE) est une méthode de croissance cristalline dans laquelle les atomes sont déposés de façon ordonnée au moyen de jets chimiques sur un substrat cristallin dans un environnement ultravide.  2, record 7, French, - %C3%A9pitaxie%20par%20faisceaux%20chimiques

Record 7,  Textual support,  Spanish

Record 8,  Textual support,  English

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

To solve the problem on the microstructural characterization of metallic superlattices, taking the NiFe/Cu superlattices as example, we show that the structures of metallic superlattices can be characterized exactly by combining low-angle X-ray diffraction with high-angle X-ray diffraction. First, we determine exactly the total film thickness by a straightforward and precise method based on a modified Bragg law from the subsidiary maxima around the low-angle X-ray diffraction peak. Then, by combining with the simulation of high-angle X-ray diffraction, we obtain the structural parameters such as the superlattice period, the sublayer and buffer thickness. This characterization procedure is also applicable to other types of metallic superlattices.  2, record 8, English, - metallic%20superlattice

Record 8,  Textual support,  French

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Un super-réseau est constitué par une répétition périodique de couches de compositions différentes. À la périodicité du réseau cristallin à l’intérieur de chaque couche s’ajoute alors la périodicité de composition du matériau final, d’où l’appellation.  2, record 8, French, - super%2Dr%C3%A9seau%20m%C3%A9tallique

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

À partir du milieu des années 1980, les progrès de l'épitaxie par jets moléculaires ont permis à des équipes américaines(aux laboratoires Bell et à l'université de l'Illinois) de réaliser des super-réseaux métalliques [...]  3, record 8, French, - super%2Dr%C3%A9seau%20m%C3%A9tallique

Record number: 8, Textual support number: 2 CONT

[...] la technique d’épitaxie par jets moléculaires permet d’élaborer des super-réseaux métalliques de grande qualité cristalline, avec des interfaces abruptes et un contrôle de l'épaisseur des couches individuelles à l'échelle de la monocouche atomique.  3, record 8, French, - super%2Dr%C3%A9seau%20m%C3%A9tallique

Record 8,  Textual support,  Spanish

Record 9,  Textual support,  English

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

The science of designing, producing, and using structures and devices having one or more dimensions of about 100 millionth of a millimetre (100 nanometres) or less.  3, record 9, English, - nanotechnology

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

Any technology related to features of nanometric scale: thin films, fine particles, chemical synthesis, advanced microlithography, and so forth.  4, record 9, English, - nanotechnology

Record number: 9, Textual support number: 2 OBS

The term "molecular technology" as opposed to "bulk technology" is sometimes used for "nanotechnology."  5, record 9, English, - nanotechnology

Record number: 9, Textual support number: 3 OBS

Nanotechnology comprises the emerging application of nanoscience.  6, record 9, English, - nanotechnology

Record 9,  Textual support,  French

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

Science qui consiste à concevoir, produire et exploiter des structures et des appareils ayant une ou plusieurs dimensions d’environ 100 millionièmes de millimètre (100 nanomètres) ou moins.  2, record 9, French, - nanotechnologie

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

Les nanotechnologies regroupent l’ensemble des savoir-faire qui permettent de travailler à l’échelle moléculaire pour organiser la matière afin de réaliser ces objets et matériaux, éventuellement jusqu’à l’échelle macroscopique.  3, record 9, French, - nanotechnologie

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

Aux États-Unis, le mot «nanotechnologie» est pris au sens strict du terme, c'est-à-dire qu'il désigne la fabrication d’objets à l'échelle du nanomètre dans les trois dimensions. Au Japon, la même acception prévaut, avec un intérêt plus marqué pour les retombées technologiques en électronique et en médecine. [...] En Europe, les nanotechnologies correspondent à un champ plus vaste d’activités, comprenant aussi bien la microscopie à champ proche que la lithographie submicronique ou l'épitaxie par jet moléculaire, et parfois même les microactionneurs en silicium [...]  4, record 9, French, - nanotechnologie

Record 9,  Textual support,  Spanish

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

[Ciencia que se encarga] del estudio, diseño, creación, síntesis, manipulación y aplicación de materiales, aparatos y sistemas funcionales a través del control de la materia a nano escala, y la explotación de fenómenos y propiedades de la materia a nano escala.  2, record 9, Spanish, - nanotecnolog%C3%ADa

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

La palabra nanotecnología es usada extensivamente para definir las ciencias y técnicas que se aplican a un nivel de nanoescala, esto es unas medidas extremadamente pequeñas "nanos" que permiten trabajar y manipular las estructuras moleculares y sus átomos. En síntesis nos llevaría a la posibilidad de fabricar materiales y máquinas a partir del reordenamiento de átomos y moléculas.  2, record 9, Spanish, - nanotecnolog%C3%ADa

Record 10,  Textual support,  English

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

A crystal growth process for producing successive epitaxial layers of known composition and thickness, particularly for optoelectronic devices.  1, record 10, English, - metal%20organic%20vapor%20phase%20epitaxy

Record 10,  Textual support,  French

Record 10,  Textual support,  Spanish

Record 11,  Textual support,  English

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

A process in which, as a result of a heat treatment, amorphized phase in the solid in contact with its single-crystal phase, re-crystallizes into a single-crystal.  2, record 11, English, - solid%20phase%20epitaxy

Record 11,  Textual support,  French

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

Procédé dans lequel, à la suite d’un traitement thermique, la phase d’amorphisation à l’état solide entre en contact avec sa phase de monocristallisation et opère une recristallisation sous forme de monocristal.  2, record 11, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20phase%20solide

Record 11,  Textual support,  Spanish

Record 12,  Textual support,  English

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

Epitaxial deposition process in which chemical composition of epi material is different than chemical composition of the substrate; e.g. AlGaAs epi on GaAs substrate or SiGe epi on Si substrate.  1, record 12, English, - heteroepitaxy

Record 12,  Textual support,  French

Record number: 12, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie consiste à faire croître une couche mince, le plus souvent monocristalline, sur un substrat servant de germe. En général, l'épaisseur totale du dépôt n’ excède pas 20-50 µm pour le silicium et 2-5 µm avec l'AsCa. Avec un support et une couche de même matériau, l'opération s’appelle une homoépitaxie; dans le cas contraire il s’agit d’une hétéroépitaxie.  1, record 12, French, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record 12,  Textual support,  Spanish

Record 13,  Textual support,  English

Record number: 13, Textual support number: 1 CONT

The process ... wherein the step of forming the compound semiconductor by liquid phase epitaxy includes step cooling to achieve a high degree of supersaturation.  1, record 13, English, - step%20cooling

Record 13,  Textual support,  French

Record number: 13, Textual support number: 1 CONT

Épitaxie en phase liquide [...] La cristallisation sur la surface du substrat en contact avec le liquide est essentiellement contrôlée par les échanges de matière, à l'interface substrat-solution. Elle s’effectue lorsqu'on abaisse la température correspondant à l'équilibre thermochimique avec le substrat. [...] La chute de température peut être linéaire(uniform cooling) [...] ou par paliers(step cooling).  1, record 13, French, - chute%20de%20temp%C3%A9rature%20par%20paliers

Record 13,  Textual support,  Spanish

Record 14,  Textual support,  French

Record 14,  Textual support,  Spanish

Record 15,  Textual support,  English

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

... the phase of the crystallization process ... The seeding device ... is removed, so that a heat dissipator can be introduced to bring about a uniform cooling of the area of the surface to be crystallized. The heat dissipator has a cooling face ... directed toward the area of the surface to be crystallized and is constructed in the form of a double tube ... provided with insulation ...  1, record 15, English, - uniform%20cooling

Record 15,  Textual support,  French

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

Épitaxie en phase liquide [...] La cristallisation sur la surface du substrat en contact avec le liquide est essentiellement contrôlée par les échanges de matière, à l'interface substrat-solution. Elle s’effectue lorsqu'on abaisse la température correspondant à l'équilibre thermochimique avec le substrat. [...] La chute de température peut être linéaire(uniform cooling) [...] ou par paliers(step cooling).  1, record 15, French, - chute%20de%20temp%C3%A9rature%20lin%C3%A9aire

Record 15,  Textual support,  Spanish

Record 16,  Textual support,  English

Record number: 16, Textual support number: 1 DEF

Epitaxial deposition process in which chemical composition of epi material and the substrate are the same; e.g. Si epi layer on Si substrate.  1, record 16, English, - homoepitaxy

Record 16,  Textual support,  French

Record number: 16, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie consiste à faire croître une couche mince, le plus souvent monocristalline, sur un substrat servant de germe. En général, l'épaisseur totale du dépôt n’ excède pas 20-50 µm pour le silicium et 2-5 µm avec l'AsCa. Avec un support et une couche de même matériau, l'opération s’appelle une homoépitaxie; dans le cas contraire il s’agit d’une hétéroépitaxie.  1, record 16, French, - homo%C3%A9pitaxie

Record 16,  Textual support,  Spanish

Record 17,  Textual support,  English

Record number: 17, Textual support number: 1 DEF

Enclosure in which extremely low pressure can be produced by vacuum pumps.  1, record 17, English, - ultra%2Dhigh%20vacuum%20chamber

Record 17,  Textual support,  French

Record number: 17, Textual support number: 1 DEF

Enceinte où règne une très basse pression.  1, record 17, French, - enceinte%20%C3%A0%20vide%20tr%C3%A8s%20pouss%C3%A9

Record number: 17, Textual support number: 1 CONT

L'enceinte du réacteur d’épitaxie est sous ultra-vide, afin d’éviter la contamination des couches pendant la croissance.  2, record 17, French, - enceinte%20%C3%A0%20vide%20tr%C3%A8s%20pouss%C3%A9

Record 17,  Textual support,  Spanish

Record 18,  Textual support,  English

Record number: 18, Textual support number: 1 DEF

A mineral inclusion or a solid body contained in a cavity such as in two- and three-phase inclusions.  3, record 18, English, - solid%20inclusion

Record number: 18, Textual support number: 1 OBS

In gemstones, the inclusions may be ... gaseous, liquid or solid.  4, record 18, English, - solid%20inclusion

Record 18,  Textual support,  French

Record number: 18, Textual support number: 1 CONT

La plupart des cristaux contiennent des inclusions solides. On peut distinguer des inclusions formées avant le cristal ayant servi de support de cristallisation, orientées indifféremment par rapport au cristal, des inclusions de croissance [...] Des cristaux peuvent se former en englobant des grains de sable [...] Enfin, d’autres inclusions solides peuvent résulter de phénomènes d’exsolution ou d’épitaxie(croissance orientée d’un minéral sur un cristal d’une espèce différente).  2, record 18, French, - inclusion%20solide

Record 18,  Textual support,  Spanish

Record 19,  Textual support,  English

Record 19,  Textual support,  French

Record number: 19, Textual support number: 1 DEF

Méthode de croissance de cristaux sous ultra-vide par pyrolyse organométallique en phase vapeur à haute température.  3, record 19, French, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record number: 19, Textual support number: 1 CONT

L'élaboration de semi-conducteurs à base de silicium, saphir, arséniure de gallium, par épitaxie et hétéroépitaxie, devient courante dans les secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique : laser à base de semi-conducteurs, transistors ultra-rapides, LED, photocathodes, etc.  3, record 19, French, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record number: 19, Textual support number: 1 OBS

À la différence de l'épitaxie, l'hétéroépitaxie fait croître un cristal de composition chimique différente du support, dit substrat. Les arrangements cristallins du substrat et du composé à croître doivent être similaires pour que l'opération réussisse.  3, record 19, French, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record 19,  Textual support,  Spanish

Record 20,  Textual support,  English

Record number: 20, Textual support number: 1 DEF

Orientation of one crystal with that of the crystalline substrate on which it grew.  2, record 20, English, - epitaxy

Record number: 20, Textual support number: 1 OBS

[Epitaxy] is a type of overgrowth in which the two nets in contact share a common mesh.  2, record 20, English, - epitaxy

Record 20,  Textual support,  French

Record number: 20, Textual support number: 1 DEF

Croissance orientée d’un minéral sur un cristal d’une espèce différente.  2, record 20, French, - %C3%A9pitaxie

Record number: 20, Textual support number: 1 CONT

[L']épitaxie [est l']orientation mutuelle de deux cristaux dont les plans réticulaires des minéraux en contact ont des mailles(simples ou multiples) de dimensions voisines; exemple : plans(001) d’ilménite sur plans(III) de magnétite.  3, record 20, French, - %C3%A9pitaxie

Record number: 20, Textual support number: 2 CONT

On observe qu'au cours de leur croissance des cristaux d’une espèce A s’orientent de façon constante sur ceux d’une espèce B. Ce phénomène est appelé épitaxie.  4, record 20, French, - %C3%A9pitaxie

Record 20,  Textual support,  Spanish

Record number: 20, Textual support number: 1 DEF

Asociación de dos minerales de diferentes especies entre los cuales existe una compatibilidad estructural, en virtud de la cual los cristales de ambos cuerpos se desarrollan, uno sobre el otro, en determinadas direcciones.  1, record 20, Spanish, - epitaxis

Record 21,  Textual support,  English

Record 21,  Textual support,  French

Record number: 21, Textual support number: 1 DEF

Épitaxie dans laquelle le processus de croissance du film s’effectue sur une matrice de même nature chimique.  1, record 21, French, - homo%2D%C3%A9pitaxie

Record 21,  Textual support,  Spanish

Record 22,  Textual support,  English

Record 22,  Textual support,  French

Record number: 22, Textual support number: 1 DEF

Différence relative entre le pas du réseau du film cristallin formé par épitaxie et celui de la matrice cristalline sous-jacente.  1, record 22, French, - d%C3%A9saccord%20de%20r%C3%A9seau

Record 22,  Textual support,  Spanish

Record 23,  Textual support,  English

Record number: 23, Textual support number: 1 DEF

An oriented crystal growth between two crystalline solid surfaces of different chemical composition in which the surface of one crystal offers suitable positions for deposition of a second crystal.  1, record 23, English, - epitaxis

Record number: 23, Textual support number: 1 OBS

This behavior also is characteristic of some types of high polymers.  1, record 23, English, - epitaxis

Record 23,  Textual support,  French

Record number: 23, Textual support number: 1 DEF

Opération qui consiste à faire croître une couche de matériau semiconducteur sur un substrat, cette couche ayant la même orientation cristalline que le substrat.  1, record 23, French, - %C3%A9pitaxie

Record 23,  Textual support,  Spanish

Record number: 23, Textual support number: 1 DEF

Asociación de dos cuerpos diferentes entre los cuales existe una compatibilidad estructural en virtud de la cual los cristales de ambos que están en contacto se desarrollan uno sobre otro.  1, record 23, Spanish, - epitaxis

Record number: 23, Textual support number: 1 OBS

Permite la unión de un semiconductor con otro de conductividad diferente por condensación del vapor de uno de ellos sobre la superficie del otro.  1, record 23, Spanish, - epitaxis

Record 24,  Textual support,  English

Record number: 24, Textual support number: 1 CONT

In bulk semiconductor transport, the physics is entirely internal; the fields of moving carriers terminate on ionized donor atoms.  3, record 24, English, - bulk%20semiconductor

Record 24,  Textual support,  French

Record number: 24, Textual support number: 1 CONT

La méthode des quatre pointes est une méthode expérimentale utilisée couramment pour mesurer la résistance carrée et/ou la résistivité d’un semi-conducteur massif.  4, record 24, French, - semi%2Dconducteur%20massif

Record 24,  Textual support,  Spanish

Record 25,  Textual support,  English

Record number: 25, Textual support number: 1 OBS

See "epitaxy" and "syngenetic."  1, record 25, English, - syngenetic%20epitaxy

Record 25,  Textual support,  French

Record number: 25, Textual support number: 1 CONT

Une épitaxie syngénétique comprendrait les cristaux mixtes isomorphes, ou partiellement isomorphes, et les syncristallisations eutectiques, soit originelles, soit par exsolution, telle que le granite graphique, ainsi que divers autres cas d’exsolution [...]  1, record 25, French, - %C3%A9pitaxie%20syng%C3%A9n%C3%A9tique

Record 25,  Textual support,  Spanish

Record 26,  Textual support,  English

Record number: 26, Textual support number: 1 OBS

See "epitaxy" and "epigenetic."  1, record 26, English, - epigenetic%20epitaxy

Record 26,  Textual support,  French

Record number: 26, Textual support number: 1 CONT

Les paragénèses métallogéniques s’expliqueraient souvent par une épitaxie épigénétique où le cristal dépôt s’installe sur le support préexistant [...] ou en est même expulsé(scheelite sur wolfram, rutile sur anatase, calcite sur aragonite).  1, record 26, French, - %C3%A9pitaxie%20%C3%A9pig%C3%A9n%C3%A9tique

Record 26,  Textual support,  Spanish

Record 27,  Textual support,  English

Record 27,  Textual support,  French

Record number: 27, Textual support number: 1 CONT

Les lois de l'épitaxie ont été énoncées, en 1928, par L. Royer : l'épitaxie n’ est possible que : 1. s’il existe une maille plane, simple ou multiple simple, quasi identique en forme et en dimensions dans les deux réseaux; 2. si les ions du cristal orienté, qui remplacent ceux du cristal support dans la croissance, sont de même signe qu'eux.  1, record 27, French, - loi%20de%20l%27%C3%A9pitaxie

Record 27,  Textual support,  Spanish

Record 28,  Textual support,  English

Record number: 28, Textual support number: 1 DEF

A chamber or device used to form an epitaxial film on a substrate.  2, record 28, English, - epitaxial%20reactor

Record number: 28, Textual support number: 1 OBS

There are three types of systems used to produce epitaxia l films: (a) Chemical vapour deposition (CVD)l (b) Liquid, and (c) Molecular beam.  2, record 28, English, - epitaxial%20reactor

Record 28,  Textual support,  French

Record 28,  Textual support,  Spanish

Record 29,  Textual support,  English

Record number: 29, Textual support number: 1 DEF

A precisely doped, thin layer of silicon grown on a p-doped thick wafer and into which n-type semiconductor junctions are diffused. This grown crystal layer (usually doped) has the same crystallographic orientation as the substrate crystal wafer.  3, record 29, English, - epitaxial%20layer

Record 29,  Textual support,  French

Record 29,  Textual support,  Spanish

Record 30,  Textual support,  English

Record number: 30, Textual support number: 1 OBS

optoelectronics  2, record 30, English, - epitaxial%20furnace

Record 30,  Textual support,  French

Record 30,  Textual support,  Spanish

Record 31,  Textual support,  English

Record 31,  Textual support,  French

Record number: 31, Textual support number: 1 OBS

Renseignement obtenu le 89/10/02.  1, record 31, French, - installation%20d%26rsquo%3B%C3%A9pitaxie%20par%20jet%20mol%C3%A9culaire%20%C3%A0%20source%20gazeuse

Record 31,  Textual support,  Spanish

Record 32,  Textual support,  French

Record 32,  Textual support,  Spanish

Record 33,  Textual support,  English

Record 33,  Textual support,  French

Record number: 33, Textual support number: 1 OBS

épitaxie : formation d’une mince couche monocristalline d’un corps cristallin sur un substrat également cristallin avec orientation spontanée du réseau cristallin de la couche dans la direction du réseau du substrat.  1, record 33, French, - %C3%A9pitaxie%20du%20silicium%20%C3%A0%20basse%20temp%C3%A9rature

Record 33,  Textual support,  Spanish

Record 34,  Textual support,  French

Record 34,  Textual support,  Spanish

Record 35,  Textual support,  French

Record 35,  Textual support,  Spanish

Record 36,  Textual support,  English

Record number: 36, Textual support number: 1 CONT

Susceptors are the devices that hold wafers being processed within an epitaxial reactor system. There are three basic types of epitaxial reactors, and susceptor designs vary with each.  2, record 36, English, - susceptor

Record 36,  Textual support,  French

Record number: 36, Textual support number: 1 DEF

Support de graphite recouvert d’une couche de carbure de silicium et servant à chauffer les tranches dans un réacteur d’épitaxie.  1, record 36, French, - suscepteur

Record 36,  Textual support,  Spanish

Record 37,  Textual support,  English

Record 37,  Textual support,  French

Record number: 37, Textual support number: 1 DEF

Jonction obtenue par épitaxie entre un substrat et une couche déposée.  1, record 37, French, - jonction%20%C3%A9pitaxiale

Record 37,  Textual support,  Spanish

Record 38,  Textual support,  English

Record 38,  Textual support,  French

Record number: 38, Textual support number: 1 DEF

Dopage non intentionnel des tranches dans un réacteur d’épitaxie, causé par la présence dans le réacteur d’atomes d’impuretés autres que les atomes dopants choisis.  1, record 38, French, - autodopage

Record 38,  Textual support,  Spanish

Record 39,  Textual support,  English

Record number: 39, Textual support number: 1 DEF

A technique of growing single crystals in which beams of atoms or molecules are made to strike a single-crystalline substrate in a vacuum, giving rise to crystals whose crystallographic orientation is related to that of the substrate.  1, record 39, English, - molecular%20beam%20expitaxy

Record 39,  Textual support,  French

Record number: 39, Textual support number: 1 OBS

épitaxie : Dépôt de cristaux d’une espèce chimique sur des cristaux préexistants d’une autre espèce, dans une orientation relative constante.  2, record 39, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20faisceau%20mol%C3%A9culaire

Record number: 39, Textual support number: 2 OBS

faisceau moléculaire : Molécules ou atomes neutres se déplaçant dans le vide en un faisceau étroit, souvent à une vitesse thermique.  3, record 39, French, - %C3%A9pitaxie%20en%20faisceau%20mol%C3%A9culaire

Record 39,  Textual support,  Spanish

Record 40,  Textual support,  English

Record 40,  Textual support,  French

Record number: 40, Textual support number: 1 DEF

Une nouvelle méthode de production de couches minces : l’idée de base de ce procédé est de contrôler la croissance de la couche déposée au lieu de celle de la source utilisée dans les techniques de couches minces conventionnelles.  2, record 40, French, - %C3%A9pitaxie%20atomique

Record 40,  Textual support,  Spanish

Record 41,  Textual support,  French

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Record 42,  Textual support,  French

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Record 43,  Textual support,  French

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Record 44,  Textual support,  French

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Record 45,  Textual support,  French

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