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EPITAXIE JETS MOLECULAIRES [5 records]

Record 1 2024-01-27

English

Subject field(s)
  • Industrial Techniques and Processes
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers
  • Optical Telecommunications
CONT

Molecular beam epitaxy (MBE) has established itself as a unique and important epitaxial crystal growth technique yielding useful semiconductor devices, both electronic and photonic and high quality layer structures for fundamental semiconductor physics research.

French

Domaine(s)
  • Techniques industrielles
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers
  • Télécommunications optiques
DEF

Procédé d’épitaxie utilisant plusieurs fours à effusion pour former des couches épitaxiales de diverses natures sur un substrat semiconducteur.

CONT

L'épitaxie par jets moléculaires est la meilleure technique connue jusqu'à présent pour réaliser des couches particulièrement minces. Grâce à l'épitaxie, une gamme infinie de semi-conducteurs différents peut être obtenue en couches minces.

Spanish

Campo(s) temático(s)
  • Procesos y técnicas industriales
  • Semiconductores (Electrónica)
  • Láser y máser
  • Telecomunicaciones ópticas
DEF

Método de fabricación de circuitos microelectrónicos.

CONT

La epitaxia de haz molecular forma las capas diminutas de una plaqueta o microcircuito a niveles atómicos. Las capas, que pueden ser tan delgadas como dos átomos, se colocan en la plaqueta o microcircuito en lugares específicos.

Save record 1

Record 2 2014-04-30

English

Subject field(s)
  • Physics
  • Semiconductors (Electronics)
CONT

The concept of thermal accommodation coefficient (TAC) [was introduced as] a constant to represent the extent to which the interchange of energy takes place by a stream of gas molecules striking a solid surface.

French

Domaine(s)
  • Physique
  • Semi-conducteurs (Électronique)
DEF

[...] coefficient défini par a = (Ti - Te / ( Ti - Te). Il mesure l’importance avec laquelle les atomes du flux incident atteignent l’équilibre thermique avec le substrat.

CONT

Plusieurs paramètres cinétiques décrivent quantitativement la croissance EJM [épitaxie par jets moléculaires dont] le coefficient d’accommodation thermique. Lorsque les particules incidentes(atomes ou molécules) arrivent sur la surface, avant d’entrer en interaction avec celle-ci, elles ont une énergie thermique qui dépend de leur température d’origine Ti. À leur arrivée sur la surface, elles acquièrent ou perdent une énergie thermique qui dépend de la température du substrat, généralement inférieure à Ti pour [le gallium] et supérieure à Ti pour l'[arsenic]. Ces particules ont encore la possibilité de se réévaporer dans l'enceinte, emportant avec elles une énergie thermique équivalente à Te. [...] Quand Te=Ts, a=1 et l'accommodation thermique est la meilleure.

Spanish

Campo(s) temático(s)
  • Física
  • Semiconductores (Electrónica)
CONT

[...] a partir de los valores de la conductividad calorífica en función de la presión, puede hallarse el coeficiente de acomodación térmica de los gases o vapores sobre determinadas superficies, magnitud que constituye una medida de la proporción del intercambio energético entre las moléculas adsorbidas y dichas superficies.

Save record 2

Record 3 2013-03-13

English

Subject field(s)
  • Transformers and Inductance (Electronics)
CONT

To solve the problem on the microstructural characterization of metallic superlattices, taking the NiFe/Cu superlattices as example, we show that the structures of metallic superlattices can be characterized exactly by combining low-angle X-ray diffraction with high-angle X-ray diffraction. First, we determine exactly the total film thickness by a straightforward and precise method based on a modified Bragg law from the subsidiary maxima around the low-angle X-ray diffraction peak. Then, by combining with the simulation of high-angle X-ray diffraction, we obtain the structural parameters such as the superlattice period, the sublayer and buffer thickness. This characterization procedure is also applicable to other types of metallic superlattices.

French

Domaine(s)
  • Transformateurs et inductance (Électronique)
DEF

Un super-réseau est constitué par une répétition périodique de couches de compositions différentes. À la périodicité du réseau cristallin à l’intérieur de chaque couche s’ajoute alors la périodicité de composition du matériau final, d’où l’appellation.

CONT

À partir du milieu des années 1980, les progrès de l'épitaxie par jets moléculaires ont permis à des équipes américaines(aux laboratoires Bell et à l'université de l'Illinois) de réaliser des super-réseaux métalliques [...]

CONT

[...] la technique d’épitaxie par jets moléculaires permet d’élaborer des super-réseaux métalliques de grande qualité cristalline, avec des interfaces abruptes et un contrôle de l'épaisseur des couches individuelles à l'échelle de la monocouche atomique.

Spanish

Save record 3

Record 4 1996-05-21

English

Subject field(s)
  • Telecommunications
  • Electrical Engineering
  • Photoelectricity and Electron Optics

French

Domaine(s)
  • Télécommunications
  • Électrotechnique
  • Photo-électricité et optique électronique

Spanish

Save record 4

Record 5 1987-05-01

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 5

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