TERMIUM Plus®
The Government of Canada’s terminology and linguistic data bank.
PLANAR ION-IMPLANTATION TECHNIQUE [1 record]
Record 1 - internal organization data 2010-12-07
Record 1, English
Record 1, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
- Radiological Physics (Theory and Application)
Record 1, Main entry term, English
- planar ion-implantation technique
1, record 1, English, planar%20ion%2Dimplantation%20technique
correct
Record 1, Abbreviations, English
Record 1, Synonyms, English
- planar ion implantation process 2, record 1, English, planar%20ion%20implantation%20process
- planar ion implantation 3, record 1, English, planar%20ion%20implantation
Record 1, Textual support, English
Record number: 1, Textual support number: 1 DEF
A low-energy ion accelerator process used to build a planar device such as a detector. 4, record 1, English, - planar%20ion%2Dimplantation%20technique
Record 1, Key term(s)
- planar ion implantation technique
- planar ion-implantation process
- planar ion-implantation
Record 1, French
Record 1, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
- Physique radiologique et applications
Record 1, Main entry term, French
- procédé d’implantation passivée planaire
1, record 1, French, proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire
correct, masculine noun
Record 1, Abbreviations, French
Record 1, Synonyms, French
- technique d’implantation ionique planaire 1, record 1, French, technique%20d%26rsquo%3Bimplantation%20ionique%20planaire
correct, feminine noun
Record 1, Textual support, French
Record number: 1, Textual support number: 1 CONT
Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire […] qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l’utilisation d’implanteurs (accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants (B pour type P et As pour type N) à l’intérieur d’un substrat de Si (réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité (de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation (SiO2) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur. 1, record 1, French, - proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire
Record 1, Spanish
Record 1, Textual support, Spanish
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